Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.68 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

25,54 kr

(exkl. moms)

31,925 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 930 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 455,108 kr25,54 kr
50 - 1204,48 kr22,40 kr
125 - 2454,188 kr20,94 kr
250 - 4953,876 kr19,38 kr
500 +3,628 kr18,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0536
Tillv. art.nr:
BSP316PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-223

Series

BSP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-496

The Infineon makes this SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Channel, Enhancement mode mosfet. The device is dv/dt rated, P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Vds is 100 V, RDS(on) 1.8 Ω and Id is 0.68 A

Maximum power dissipation is 360 mW

relaterade länkar