Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

23,07 kr

(exkl. moms)

28,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 930 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 454,614 kr23,07 kr
50 - 1203,988 kr19,94 kr
125 - 2453,718 kr18,59 kr
250 - 4953,404 kr17,02 kr
500 +3,204 kr16,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0528
Tillv. art.nr:
BSP125H6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.12A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

BSP

Kapseltyp

SOT-223

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications. This SIPMOS Power-Transistor is an N-Channel, Enhancement mode with Vds of 600 V, Rds(on) 45 Ω and Id is 0.12 A. It is dv/dt rated.

Pb-free lead plating

Maximum power dissipation is 360mW