Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP125H6433XTMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

27,92 kr

(exkl. moms)

34,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 935 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 455,584 kr27,92 kr
50 - 1204,816 kr24,08 kr
125 - 2454,48 kr22,40 kr
250 - 4954,122 kr20,61 kr
500 +3,852 kr19,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0528
Tillv. art.nr:
BSP125H6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSP

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications. This SIPMOS Power-Transistor is an N-Channel, Enhancement mode with Vds of 600 V, Rds(on) 45 Ω and Id is 0.12 A. It is dv/dt rated.

Pb-free lead plating

Maximum power dissipation is 360mW

relaterade länkar