Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

34 140,00 kr

(exkl. moms)

42 675,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +6,828 kr34 140,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
249-6890
Tillv. art.nr:
IAUC60N04S6N031HATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Series

OptiMOS-TM6

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

relaterade länkar