Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 440,00 kr

(exkl. moms)

16 800,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +13,44 kr13 440,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-5824
Tillv. art.nr:
IPB120N10S405ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET offers D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements.

N-channel - Normal Level - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Relaterade länkar