Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ018NE2LSIATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

33,22 kr

(exkl. moms)

41,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 816,61 kr33,22 kr
10 - 1815,68 kr31,36 kr
20 - 4814,28 kr28,56 kr
50 - 9812,71 kr25,42 kr
100 +12,095 kr24,19 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
241-9699
Tillv. art.nr:
BSZ018NE2LSIATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSZ

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which is Optimized for high performance Buck converter. It is 100% avalanche tested.

Monolithic integrated Schottky like diode

Halogen-free according to IEC61249-2-21

relaterade länkar