Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ018NE2LSATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

29,34 kr

(exkl. moms)

36,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 930 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 814,67 kr29,34 kr
10 - 1813,83 kr27,66 kr
20 - 4812,655 kr25,31 kr
50 - 9811,145 kr22,29 kr
100 +10,695 kr21,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
241-9697
Tillv. art.nr:
BSZ018NE2LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating. It is optimized for high performance Buck converter.

Very low on-resistance

Qualified according to JEDEC for target applications

relaterade länkar