Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN IQE050N08NM5CGATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

44,01 kr

(exkl. moms)

55,012 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +22,005 kr44,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
240-6638
Tillv. art.nr:
IQE050N08NM5CGATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

253A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

IQE

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.85mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

0.73V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOSTM 5 80V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 80 V and low RDS(on) of 5.0 mOhm. It offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. Furthermore, the higher efficiency, the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management are benefits at the system level.

Improved PCB losses

Enabling highest power density and performance

relaterade länkar