STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STH AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
240-0609
Tillv. art.nr:
STHU32N65DM6AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

STH

Kapseltyp

HU3PAK

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

320W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

52.6nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

UL

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) x area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely dv/dt ruggedness

Zener-protected

Relaterade länkar