Vishay Type N-Channel MOSFET, 445 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ112E-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

94,64 kr

(exkl. moms)

118,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 1 760 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1847,32 kr94,64 kr
20 - 4844,41 kr88,82 kr
50 - 9840,265 kr80,53 kr
100 - 19837,855 kr75,71 kr
200 +35,56 kr71,12 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8676
Tillv. art.nr:
SQJQ112E-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

445A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00253Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is automotive Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

AEC-Q101 qualified

UIS tested

Thin package

relaterade länkar