Vishay Type N-Channel MOSFET, 118 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ184EP-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

76,83 kr

(exkl. moms)

96,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4515,366 kr76,83 kr
50 - 24514,426 kr72,13 kr
250 - 49513,082 kr65,41 kr
500 - 124512,276 kr61,38 kr
1250 +11,536 kr57,68 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0307
Tillv. art.nr:
SQJ184EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

118A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.04mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.9 mm

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

relaterade länkar