Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186EP-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

95,65 kr

(exkl. moms)

119,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 010 enhet(er) levereras från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,565 kr95,65 kr
100 - 2408,994 kr89,94 kr
250 - 4908,131 kr81,31 kr
500 - 9907,65 kr76,50 kr
1000 +7,19 kr71,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8671
Tillv. art.nr:
SQJ186EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

410A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SIDR is automotive N-Channel MOSFET which operates at 80 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

AEC-Q101 qualified

UIS tested

relaterade länkar