Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 243 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0305
- Tillv. art.nr:
- SQJ154EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
114,35 kr
(exkl. moms)
142,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,435 kr | 114,35 kr |
| 100 - 240 | 10,752 kr | 107,52 kr |
| 250 - 490 | 9,722 kr | 97,22 kr |
| 500 - 990 | 9,15 kr | 91,50 kr |
| 1000 + | 8,59 kr | 85,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0305
- Tillv. art.nr:
- SQJ154EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 243A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8L | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0025mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.9 mm | |
| Längd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 243A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8L | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0025mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.9 mm | ||
Längd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested