Vishay Type N-Channel MOSFET, 243 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ154EP-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

114,35 kr

(exkl. moms)

142,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9011,435 kr114,35 kr
100 - 24010,752 kr107,52 kr
250 - 4909,722 kr97,22 kr
500 - 9909,15 kr91,50 kr
1000 +8,59 kr85,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0305
Tillv. art.nr:
SQJ154EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

243A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0025mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Width

4.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar