Vishay Type N-Channel MOSFET, 63.7 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR516DP-T1-RE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

126,67 kr

(exkl. moms)

158,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 750 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4525,334 kr126,67 kr
50 - 12023,812 kr119,06 kr
125 - 24521,526 kr107,63 kr
250 - 49520,272 kr101,36 kr
500 +18,996 kr94,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8651
Tillv. art.nr:
SiR516DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

63.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

relaterade länkar