Vishay Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR512DP-T1-RE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

140,56 kr

(exkl. moms)

175,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 020 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4528,112 kr140,56 kr
50 - 12026,432 kr132,16 kr
125 - 24523,90 kr119,50 kr
250 - 49522,468 kr112,34 kr
500 +21,078 kr105,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8647
Tillv. art.nr:
SIR512DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

relaterade länkar