Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

138,99 kr

(exkl. moms)

173,738 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 050 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1869,495 kr138,99 kr
20 - 4865,295 kr130,59 kr
50 - 9859,08 kr118,16 kr
100 - 19855,665 kr111,33 kr
200 +52,135 kr104,27 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8638
Tillv. art.nr:
SIHK125N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.11Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay E series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.

4th generation E series technology

Low effective capacitance

Low switching and conduction losses

relaterade länkar