Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

95,87 kr

(exkl. moms)

119,838 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 902 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 847,935 kr95,87 kr
10 - 1843,12 kr86,24 kr
20 - 4840,21 kr80,42 kr
50 - 9837,35 kr74,70 kr
100 +34,495 kr68,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3655
Tillv. art.nr:
IPB65R110CFD7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

22A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-263

Serie

CoolMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

N

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS super junction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies. It is ideally suited for industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. It has drain current of 22 A.

Excellent hard-commutation ruggedness

Extra safety margin for designs with increased bus voltage

Enabling increased power density

Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications

Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications

Price competitiveness compared to alternative offerings in the market

Relaterade länkar