Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

133,06 kr

(exkl. moms)

166,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4526,612 kr133,06 kr
50 - 12023,43 kr117,15 kr
125 - 24521,818 kr109,09 kr
250 - 49520,518 kr102,59 kr
500 +18,928 kr94,64 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3641
Tillv. art.nr:
BSC004NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

479A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS™

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.45mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

188W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

135nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.1mm

Bredd

6.35 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.49mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

Relaterade länkar