Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 479 A, 25 V, 8-Pin TDSON BSC004NE2LS5ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

135,78 kr

(exkl. moms)

169,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 990 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4527,156 kr135,78 kr
50 - 12023,90 kr119,50 kr
125 - 24522,266 kr111,33 kr
250 - 49520,922 kr104,61 kr
500 +19,286 kr96,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3641
Tillv. art.nr:
BSC004NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

479A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Length

5.49mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

relaterade länkar