Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 333 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

74,41 kr

(exkl. moms)

93,01 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 974,41 kr
10 - 2470,56 kr
25 - 4967,76 kr
50 - 9964,74 kr
100 +60,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-1587
Tillv. art.nr:
IPT013N08NM5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

333A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPT

Package Type

HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.58 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 80 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Very low on-resistance RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating, halogen-free

relaterade länkar