Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 368,98 kr

(exkl. moms)

1 711,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 11 368,98 kr
2 - 41 341,65 kr
5 +1 207,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
234-8968
Tillv. art.nr:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

F4

Package Type

AG-EASY2B

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.062μC

Forward Voltage Vf

5.65V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

60749 and 60068, IEC 60747

Width

33.8 mm

Length

62.8mm

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

relaterade länkar