Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 24 enheter)*

19 028,64 kr

(exkl. moms)

23 785,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Bricka*
24 - 24792,86 kr19 028,64 kr
48 - 48753,214 kr18 077,14 kr
72 +715,955 kr17 182,92 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
234-8967
Tillv. art.nr:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-EASY2B

Series

F4

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

5.65V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.062μC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Width

33.8 mm

Length

62.8mm

Standards/Approvals

60749 and 60068, IEC 60747

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

relaterade länkar