STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU36N AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 600 enheter)*

25 499,40 kr

(exkl. moms)

31 874,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 31 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
600 +42,499 kr25 499,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
234-8897
Tillv. art.nr:
STHU36N60DM6AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

STHU36N

Kapseltyp

HU3PAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

99mΩ

Maximal effektförlust Pd

210W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Relaterade länkar