Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 108 A 200 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1800 enheter)*

52 641,00 kr

(exkl. moms)

65 800,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1800 +29,245 kr52 641,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
233-4388
Tillv. art.nr:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

108A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

HSOG

Serie

IPTG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

11.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

375W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG111N20NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 3 - 200 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Relaterade länkar