Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 454 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

58,14 kr

(exkl. moms)

72,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 28 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +29,07 kr58,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
233-4382
Tillv. art.nr:
IPTG007N06NM5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

454A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSOG

Serie

IPTG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

375W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

216nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.4mm

Längd

10.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG007N06NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 5 - 60 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board. This result in 2x higher thermal cycling on board

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Relaterade länkar