STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STB37N60 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

44 183,00 kr

(exkl. moms)

55 229,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +44,183 kr44 183,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
233-3038
Tillv. art.nr:
STB37N60DM2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

28A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STB37N60

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

94mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

210W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Höjd

4.6mm

Bredd

10.4 mm

Längd

15.85mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Relaterade länkar