Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

58,35 kr

(exkl. moms)

72,938 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 996 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +29,175 kr58,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
232-6767
Tillv. art.nr:
ISC0806NLSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

97A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.1mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

49nC

Maximal effektförlust Pd

96W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Höjd

5.35mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Relaterade länkar