Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0806NLSATMA1

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

51,45 kr

(exkl. moms)

64,312 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 996 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +25,725 kr51,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
232-6767
Tillv. art.nr:
ISC0806NLSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

97A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS 5

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.1mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.35mm

Standards/Approvals

No

Length

6.1mm

Width

1.2 mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

relaterade länkar