Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 232-6757
- Tillv. art.nr:
- ISC0802NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
23,63 kr
(exkl. moms)
29,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 932 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 11,815 kr | 23,63 kr |
| 20 - 48 | 10,64 kr | 21,28 kr |
| 50 - 98 | 9,855 kr | 19,71 kr |
| 100 - 198 | 9,295 kr | 18,59 kr |
| 200 + | 8,68 kr | 17,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6757
- Tillv. art.nr:
- ISC0802NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.35mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.35mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons OptiMOS PD-effekt-MOSFET 100 V är utformad för USB-PD- och adaptertillämpningar. SuperSO8-kapseln erbjuder snabb ramp-up och optimerade ledtider. OptiMOS-lågspännings-MOSFET-transistorer för strömförsörjning möjliggör konstruktioner med färre delar som leder till minskade BOM-kostnader. OptiMOS PD har kvalitetsprodukter i kompakta, lätta förpackningar.
Tillgänglighet på logisk nivå
Utmärkt termiskt beteende
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 80 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 60 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 60 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5