Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

43 655,00 kr

(exkl. moms)

54 570,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +8,731 kr43 655,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
232-6766
Tillv. art.nr:
ISC0806NLSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

97A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.1mΩ

Maximal effektförlust Pd

96W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

49nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

5.35mm

Längd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Relaterade länkar