Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 60 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 232-6753
- Tillv. art.nr:
- ISC0702NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
106,18 kr
(exkl. moms)
132,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 9 870 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,236 kr | 106,18 kr |
| 50 - 120 | 19,108 kr | 95,54 kr |
| 125 - 245 | 17,83 kr | 89,15 kr |
| 250 - 495 | 16,554 kr | 82,77 kr |
| 500 + | 15,478 kr | 77,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6753
- Tillv. art.nr:
- ISC0702NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 135A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 135A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 135 A 60 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 150 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 71 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 59 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 37 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 66 A 80 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 97 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 57 A 60 V SO-8, OptiMOS 5
