Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 257 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

22 353,00 kr

(exkl. moms)

27 942,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,451 kr22 353,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2940
Tillv. art.nr:
SiZF906BDT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

257A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAIR 6 x 5F

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0021Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

83W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar