Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 178-3944
- Tillv. art.nr:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
103,71 kr
(exkl. moms)
129,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 770 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 10,371 kr | 103,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3944
- Tillv. art.nr:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 16.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3 mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3 | ||
Serie TrenchFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Maximal effektförlust Pd 16.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3 mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
High side and low side MOSFETs form optimized
combination for 50 % duty cycle
Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates
efficiency for high frequency switching
APPLICATIONS
Synchronous buck
DC/DC conversion
Half bridge
POL
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel 30 A 30 V Förbättring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 69.3 A 30 V Förbättring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 257 A 30 V Förbättring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 258 A 30 V Förbättring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 32.5 A 70 V Förbättring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 31.8 A 70 V Förbättring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 48 A 40 V Förbättring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 38 A 60 V Förbättring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV