Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 69.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

187,25 kr

(exkl. moms)

234,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 950 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1007,49 kr187,25 kr
125 - 2256,742 kr168,55 kr
250 - 6006,375 kr159,38 kr
625 - 12255,246 kr131,15 kr
1250 +3,745 kr93,63 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2939
Tillv. art.nr:
SiZ340BDT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

69.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00856Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar