Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 350.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

23 340,00 kr

(exkl. moms)

29 160,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,78 kr23 340,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2900
Tillv. art.nr:
SiR500DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

350.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.47mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

120nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 30 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar