Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

22 227,00 kr

(exkl. moms)

27 783,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,409 kr22 227,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
134-9165
Tillv. art.nr:
SIRA90DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar