Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 517,00 kr

(exkl. moms)

10 647,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,839 kr8 517,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2891
Tillv. art.nr:
SIJA74DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

81.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

3.99mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

46.2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay TrenchFET N-channel is 40 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar