Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG24N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

98,34 kr

(exkl. moms)

122,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 478 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1849,17 kr98,34 kr
20 - 4846,705 kr93,41 kr
50 - 9844,24 kr88,48 kr
100 - 19841,775 kr83,55 kr
200 +31,92 kr63,84 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2870
Tillv. art.nr:
SIHG24N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar