Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 9 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-artikelnummer:
- 228-2837
- Tillv. art.nr:
- SIHA24N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
57,01 kr
(exkl. moms)
71,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 668 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,505 kr | 57,01 kr |
| 20 - 48 | 25,59 kr | 51,18 kr |
| 50 - 98 | 24,19 kr | 48,38 kr |
| 100 - 198 | 22,85 kr | 45,70 kr |
| 200 + | 21,11 kr | 42,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2837
- Tillv. art.nr:
- SIHA24N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 850V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 184mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 850V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 184mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay E-serie effekt-MOSFET, 850 V drain-source-spänning, 9 A kontinuerlig drain-ström – SIHA24N80AE-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömstyrningsroller i hålmonteringar. Den levereras i en TO-220-kapsel som är lämplig för traditionella monteringsmetoder och är konstruerad för att fungera över ett brett temperaturområde för krävande elektroniska system.
Funktioner och fördelar:
• 850 V avtappningskapacitet för högspänningsomkopplingstillämpningar
• 9 A kontinuerlig avtappningsström för hållbar effekthantering
• 184 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid driftströmmar
• Maximal förlust på 35 W möjliggör betydande effektgenomströmning
• 59 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsdynamik
• 30 V grindklassning stöder vanliga grinddrivarspänningar
• 9 A kontinuerlig avtappningsström för hållbar effekthantering
• 184 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid driftströmmar
• Maximal förlust på 35 W möjliggör betydande effektgenomströmning
• 59 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsdynamik
• 30 V grindklassning stöder vanliga grinddrivarspänningar
Användningsområden
• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Används för omkopplingssteg för industriella motordrivningar
• Idealisk för växelriktare och omvandlare med medelstor effekt
• Kan användas för DC/DC-omvandling i telekomutrustning
• Lämplig för genomgående hålkonstruktioner i laboratorier och prototypframtagning
• Används för omkopplingssteg för industriella motordrivningar
• Idealisk för växelriktare och omvandlare med medelstor effekt
• Kan användas för DC/DC-omvandling i telekomutrustning
• Lämplig för genomgående hålkonstruktioner i laboratorier och prototypframtagning
Vilka extrema temperaturer tål den i drift?
Den fungerar från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.
Hur påverkar den framåtriktade spänningen omkopplingskretsar?
1,2 V framspänning påverkar ledningsfall under kropp-diod-ledning och bör beaktas vid uppskattning av omvänd återhämtningsförluster.
Är enheten lämplig för elektroniska fordonssystem?
Den är inte specificerad enligt fordonsstandarder, så ytterligare validering rekommenderas för fordonstillämpningar.
Vilka monterings- och anslutningsöverväganden gäller för värmehantering?
Formatet TO-220 med genomgående hål möjliggör direkt kylfläns till fliken för förbättrad värmeavledning upp till den angivna effektgränsen.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 9 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 15 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 165.3 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E