Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 25 enheter)*

802,60 kr

(exkl. moms)

1 003,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 475 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per Rør*
25 - 2532,104 kr802,60 kr
50 - 10030,177 kr754,43 kr
125 +27,288 kr682,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2869
Tillv. art.nr:
SIHG24N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-247

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar