Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16.3 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

93,52 kr

(exkl. moms)

116,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1846,76 kr93,52 kr
20 - 9839,705 kr79,41 kr
100 - 19834,665 kr69,33 kr
200 - 49828,505 kr57,01 kr
500 +22,905 kr45,81 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2868
Tillv. art.nr:
SIHG21N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

16.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

850V

Kapseltyp

TO-247

Serie

E

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

250mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

179W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

47nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Relaterade länkar