Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

17 205,00 kr

(exkl. moms)

21 505,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 15 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +3,441 kr17 205,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
223-8519
Tillv. art.nr:
IPG20N06S2L65AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal effektförlust Pd

43W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.9 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

5.15mm

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 55 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.

Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package

•Ultra low Rds

•100% Avalanche tested

Relaterade länkar