Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD50R
- RS-artikelnummer:
- 222-4901
- Tillv. art.nr:
- IPD60R180C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
22 042,50 kr
(exkl. moms)
27 552,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 8,817 kr | 22 042,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4901
- Tillv. art.nr:
- IPD60R180C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Höjd 2.41mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.
Enables increasing switching frequency without loss in efficiency
Measure showing key parameter for light load and full load efficiency
Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components
Smaller packages for same R DS(on)
Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-252, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-252, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal 5 A 500 V Förbättring TO-252, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal 29 A 600 V Förbättring ThinPAK, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal 40 A 600 V Förbättring ThinPAK, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal 13 A 800 V Förbättring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 13 A P IPD
