Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD50R

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

22 042,50 kr

(exkl. moms)

27 552,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,817 kr22 042,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4901
Tillv. art.nr:
IPD60R180C7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPD50R

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

180mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal effektförlust Pd

68W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Enables increasing switching frequency without loss in efficiency

Measure showing key parameter for light load and full load efficiency

Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components

Smaller packages for same R DS(on)

Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies

Relaterade länkar