Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 700 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4729
- Tillv. art.nr:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
167,44 kr
(exkl. moms)
209,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 318 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 83,72 kr | 167,44 kr |
| 10 - 18 | 74,535 kr | 149,07 kr |
| 20 - 48 | 69,495 kr | 138,99 kr |
| 50 - 98 | 65,24 kr | 130,48 kr |
| 100 + | 60,37 kr | 120,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4729
- Tillv. art.nr:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
Best in class RDS(on) /package
Pb-free plating, halogen free mold compound
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 33 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 63.3 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 46 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 83 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal 13 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 46 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 75 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 145 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
