Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4705
- Tillv. art.nr:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
191,52 kr
(exkl. moms)
239,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 500 enhet(er) levereras från den 16 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 38,304 kr | 191,52 kr |
| 25 - 45 | 33,712 kr | 168,56 kr |
| 50 - 120 | 31,428 kr | 157,14 kr |
| 125 - 245 | 29,478 kr | 147,39 kr |
| 250 + | 27,194 kr | 135,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4705
- Tillv. art.nr:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 145mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 145mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 16 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 22 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 19 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 37.9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7