Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

108,44 kr

(exkl. moms)

135,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 285 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2021,688 kr108,44 kr
25 - 4518,212 kr91,06 kr
50 - 12017,114 kr85,57 kr
125 - 24515,86 kr79,30 kr
250 +14,74 kr73,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4658
Tillv. art.nr:
IPB65R190C7ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

AEC Q101 qualified

relaterade länkar