Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R040C7ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

111,21 kr

(exkl. moms)

139,01 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 795 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9111,21 kr
10 - 24105,62 kr
25 - 49101,14 kr
50 - 9996,77 kr
100 +90,05 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4651
Tillv. art.nr:
IPB60R040C7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns

Increased efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

Best in class RDS(on) /package

relaterade länkar