DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 261 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN62D4LDW-7

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

12,35 kr

(exkl. moms)

15,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 850 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +0,247 kr12,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-2844
Tillv. art.nr:
DMN62D4LDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

261mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Series

DMN

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.45W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.51nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

relaterade länkar