DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 261 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 455,00 kr

(exkl. moms)

1 818,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,485 kr1 455,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-2843
Tillv. art.nr:
DMN62D4LDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

261mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

DMN

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.51nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

relaterade länkar