DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 122,00 kr

(exkl. moms)

1 404,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 60000,374 kr1 122,00 kr
9000 - 420000,315 kr945,00 kr
45000 +0,30 kr900,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-2834
Tillv. art.nr:
DMN2710UWQ-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

900mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

DMN

Kapseltyp

SOT-323

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

0.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.2mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.35 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant

Relaterade länkar