Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7470
- Tillv. art.nr:
- IRF3007STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
145,82 kr
(exkl. moms)
182,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 585 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 29,164 kr | 145,82 kr |
| 25 - 45 | 26,252 kr | 131,26 kr |
| 50 - 120 | 24,484 kr | 122,42 kr |
| 125 - 245 | 22,736 kr | 113,68 kr |
| 250 + | 21,324 kr | 106,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7470
- Tillv. art.nr:
- IRF3007STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 120W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 89nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 9.65 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 120W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 89nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 9.65 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Industry standard surface-mount power package
High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
Capable of being wave-soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 75 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 100 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 183 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 128 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 173 A 60 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 105 A 150 V Förbättring TO-263, HEXFET
