Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 220-7352
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06NSTATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
133,73 kr
(exkl. moms)
167,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 890 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,746 kr | 133,73 kr |
| 50 - 120 | 23,274 kr | 116,37 kr |
| 125 - 245 | 21,66 kr | 108,30 kr |
| 250 - 495 | 20,316 kr | 101,58 kr |
| 500 + | 18,726 kr | 93,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7352
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06NSTATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 137A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 137A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.
Low RDS(on)
Optimized for synchronous rectification
Enhanced 175°C capability in SuperSO8
Longer life time
Highest efficiency and power density
Highest system reliability
Thermal robustness
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 137 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 16 A 300 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 205 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 82 A 80 V Förbättring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 147 A 25 V Förbättring TDSON, OptiMOS