Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3098
- Tillv. art.nr:
- IRF6215STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
271,71 kr
(exkl. moms)
339,63 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 18,114 kr | 271,71 kr |
| 75 - 135 | 17,211 kr | 258,17 kr |
| 150 - 360 | 16,845 kr | 252,68 kr |
| 375 - 735 | 15,762 kr | 236,43 kr |
| 750 + | 14,679 kr | 220,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3098
- Tillv. art.nr:
- IRF6215STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 290mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65 mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 290mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65 mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRF series single P-Channel power MOSFET. This MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is suitable for high current applications.
Fast switching
P-channel
175°C Operating Temperature
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 38 A 100 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 43 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 210 A 60 V HEXFET
